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h，年南I，年南生长在SiO2图案上的InAs的相同数据组，显示了界面和掩模边缘处的严重应变©2022SpringNature图四、石墨烯覆盖的影响a、生长在具有不同石墨烯覆盖率的纳米图案化石墨烯涂覆的GaAs上的InAs的ECCI图像。f、域跨在有和没有纳米图案化石墨烯的情况下，在Ge上制造的LEDs的I-V曲线。
I，场化分层区域中样品表面的平面SEM图像，场化显示了Ni/外延层界面(左)和胶带/Ni界面(右)处的分层©2022SpringNature图二、石墨烯纳米图案消除反相界面a，b，直接生长在Ge(a)和纳米图案化石墨烯涂覆的Ge(b)上的GaAs的横截面STEM图像。h，电力GaAs衬底在剥落状态下的平面SEM图像。f，交易g，剥离后衬底的平面图SEM图像(f)和AFM图像(g)。
e，同比通过从衬底剥离LED结构并转移到聚酰亚胺/硅衬底上而制造的LED的横截面SEM图像。上半省市原文详情：Kim,H.,Lee,S.,Shin,J.etal.Graphenenanopatternasauniversalepitaxyplatformforsingle-crystalmembraneproductionanddefectreduction.Nat.Nanotechnol.(2022).https://doi.org/10.1038/s41565-022-01200-6
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